时，程序运行正常，而在没有1MΩ电阻的情况下，程序运行有滞后及无法运行现象发生。

  在无源晶振应用方案中，两个外接电容能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻能够在一定程度上帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻。

  这个1MΩ电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区, 以获得增益, 在饱和区不存在增益, 而在没有增益的条件下晶振不起振。简而言之，并联1M电阻增加了电路中的负性阻抗（-R），即提升了增益，缩短了晶振起振时间，达到了晶振起振更容易之目的。

  换一种说法，假设电路中无任何的扰动信号，晶振不可能起振。实际上反相门电路中许多电路不加这个电阻也能起振，因为一般的电路都有扰动信号，但有个别的反相门电路不加这个电阻就不能起振，因为扰动信号强度不够。

  需要指出的是，在低温度的环境下振荡电路阻抗也会发生明显的变化，当阻抗增加到某些特定的程度时，晶振就会发生起振困难或不起振现象。这时，我们也需要给晶振并联1MΩ电阻，建议为增加振荡电路稳定性，给晶振同时串联一个100Ω的电阻，这样做才能够减少晶振的频率偏移程度。

  注：并联电阻不能太小，串联电阻不能太大。否则，在温度较低的情况下不易起振。

  经常遇到有人把晶振的负载电容与外接电容混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要非常指出的是：若你这样想，就大错特错了

  负载电容指的是晶振的一个内部重要电气参数。正常的情况下，对功耗不太敏感的电子设备PCBA上，常见的晶振负载电容为 15PF、18PF、20PF。

  那么，诸如腕表、手机蓝牙耳机等对低功耗明显有较高需求的电子科技类产品，PCBA上常采用的为负载电容较小的晶振，比如6PF、7PF、9PF、10PF、12PF。

  晶振的负载电容在生产环节已经依据需求通过加工工艺锁定，在应用中无法更改。

  晶振的外接电容是指在PCBA板上分别与晶振频率输入脚与输出脚串联的电子元件。外接电容值的大小由晶振负载电容与电路板杂散电容（包括IC电容在内）所决定，通常为这两者之和。

  在振荡电路应用中，晶振负载电容、杂散电容与外接电容之间的关系示意图如下：

  CS: 指杂散电容，包括IC内部的杂散容值、电路板布线间的电容量、PCB板各层之间的寄生电容等。

  针对晶振频率进行微调，使其尽量靠近目标频率。规则：外接电容越大，晶振输出频率越偏负向。反之，外接电容越小，晶振输出频率则趋于正向变化。

  外接电容能够更好的起到对振荡电路的稳定作用。这也是为何建议在晶振频率输入脚与输出脚分别加一颗同值电容的原因。

  1、外接电容所起到的作用仅仅是对晶振频率进行微调。若晶振工作时频偏过大，就需要仔细考虑晶振本身精度的原因，比如晶振精度是否不能满足芯片要求而更改为精度更高的晶振。

  2、外接电容仅用于无源晶振的应用。在有源晶振的电路应用中，无需外接电容。

  混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要非常指出的是：若你这样想，就大错特错了。

  （pf）对于的选购固然重要,在工作中市场遇到一些顾客只知道尺寸、频率.对精度（ppm）、

  CL（Load capacitance），它是电路中跨接晶体两端的总的“有效”

  的选择现阶段的浅显认识，参考了很多别人的文章。以后如果有新的认识后会继续补充。

  的选择现阶段的浅显认识，参考了很多别人的文章。以后如果有新的认识后会继续补充。

  的选择 /

  混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要非常指出的是：若你这样想，就大错特错了。

  混淆，甚至还有人误以为这是指同样的参数。这里需要非常指出的是：若你这样想，就大错特错了。

  的区别与关系 /

  能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻能够在一定程度上帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻。

  问题 /

  能够微调晶振产生的时钟频率。而并联1MΩ电阻能够在一定程度上帮助晶振起振。因此，当发生程序启动慢或不运行时，建议给晶振并联1MΩ的电阻。

  的问题？ /

  的区别与关系 /

  Capture-Screen-On-Mac Mac OS X下的截屏实现

  【国产FPGA+OMAPL138开发板体验】（原创）5.FPGA的AI加速源代码

  【米尔-全志T113-i开发板试用】JPG硬件编码的实现、YUV转换neon加速和对比测试

  【先楫HPM5361EVK开发板试用体验】(原创)6.手把手实战红外线传感器源代码