追溯芯片封装历史，将单个单元从整个晶圆中切割下来再进行后续封装测试的方式一直以来都是半导体芯片制造的“规定范式”。然而，随着芯片制造成本的飞速提升以及消费市场对芯片性能的不断追求，人们开始意识到革新先进封装技术的必要性。

  对传统封装方式的改革创新，促成了晶圆级封装技术（Wafer Level Package，WLP）的“应运而生”。

  晶圆级封装技术可定义为：直接在晶圆上进行大部分或全部的封装、测试程序，然后再来安装焊球并切割，产出一颗颗的IC成品单元（如下图所示）。

  晶圆级封装技术与打线型（Wire-Bond）和倒装型（Flip-Chip）封装技术相比，能省去打金属线、外延引脚（如QFP）、基板或引线框等工序，所以具备封装尺寸小、电气性能好的优势。

  封装行业的领跑者们大多基于晶圆模式来批量生产先进晶圆级封装产品，不但可利用现有的晶圆级制造设备来完成主体封装制程的操作，而且让封装结构、芯片布局的设计并行成为现实，进而显著缩短了设计和生产周期，降低了整体项目成本。

  优化电、热特性，非常适合于射频/微波、高速信号传输、超低功耗等应用；4.

  封装尺寸更小、用料更少，与轻薄、短小、价优的智能手机、可穿戴类产品达到完美契合；5.

  PCB或基板（Substrate）互连的关键技术。凸块的选材、构造、尺寸设计，受多种因素影响，如封装大小、成本及电气、机械、散热等性能要求。

  FIWLP）技术，业内亦称晶圆级芯片规模封装（Wafer Level Chip Scale Package，WLCSP）技术，是当今各类晶圆级封装技术中的主力。近两年，扇入型晶圆级封装产品的全球出货量都保持在每年三百亿颗以上，主要供给手机、智能穿戴等便携型电子科技类产品市场。

  I/O）信号接口的数目大幅度的增加，凸块及焊球间距（Bump Pitch & Ball Pitch）的精密程度要求渐趋严格，再分布层（RDL）技术的量产良率也因此越发受重视。在这种背景下，扇出型封装（Fan-Out Wafer Level Package，FOWLP）及扇入扇出混合型（Hybrid Fan-In/Fan-Out）等高端晶圆级封装技术应运而生。下图所示为FIWLP（左）、FOWLP（右）的典型结构：

  Re Distribution Layer, RDL）技术大多数都用在在裸芯（Bare Die）和焊球之间重新规划（也可理解为优化）信号布线、传输的路径，以达到将晶圆级封装产品的信号互联密度、整体灵活度最大化的目的。RDL的技术核心，简单来说就是在原本的晶圆上附加一层或多层的横向连接，用来传输信号。

  值得注意的是，在该方案中有两层电介质（Dielectric）材料，用来保护被其包裹的RDL层（可理解为应力缓冲）。另外，凸块冶金（Under Bump Metallurgy，UBM）技术在这里也派上了用场，来帮助触点（Contact Pad）支撑焊球、RDL还有电介质。

  MCM）乃至系统级封装（SiP）产品在5G、AI、高性能运算、汽车无人驾驶等领域的普及，2.5D和3D晶圆级封装技术备受设计人员青睐。下图所示为2.5D（左）和3D（右）晶圆级封装技术。

  CPU、GPU、ASIC、PHY的信号互联，也可通过再分布层（RDL）或硅介层（Silicon Interposer）技术来实现。但是，3D堆叠起来的多个高带宽存储（High-Bandwidth Memory，HBM）芯片与其底部的逻辑类芯片的信号互联，则由硅穿孔（Through Silicon Via，TSV）技术来实现。当然，以上几种互联（Interconnect）如何取舍，需根据实际规格、成本目标具体问题具体分析。

  10月30日，长电科技发布2020年第三季度报告，该公司前三季度实现盈利收入为187.63亿元，同比增长15.85%；归属于上市公司股东的纯利润是7.64亿元，同比扭亏为盈。 长电科技表示，为了进一步提升公司资产营运效率，报告期公司优化了封装产品购销业务模式。在生产销售产品过程中，不再对产品的主要的组成原材料承担存货风险。根据收入准则的相关判断原则，在报告期对该部分收入依照会计准则相关规定按净额法列示，使报告期营业收入与经营成本均下降 27.81 亿元，对报告期净利润未产生一定的影响。假设营业收入及经营成本中以总额法列示述 27.81 亿元（依照会计准则规定需按净额法列示），则按总额法还原后，报告期营收为 215.44亿元，相比去年同期增长 3

  前三季度净利润润7.64亿元，同比扭亏为盈 /

  长电科技 22日晚间公告，预计公司2017年年度实现归属于上市公司股东的净利润与上年同期1.06亿元相比，将增加2.34亿元到2.74亿元，同比增长220%到258%。报告期内，原长电营收、利润均保持了稳定的增长；JSCK（长电韩国）较上年同期大幅增长；   星科金朋因上海工厂1-9月搬迁，导致前三季业绩下滑，第四季JSCC（星科金朋江阴厂）较快回升，星科金朋全年经营业绩与上年同期相比基本持平。   公司非经常性损益与去年同期相比，预计增加3.15亿元左右。主要为星科金朋韩国子公司所得税诉讼事项胜诉、星科金朋相关子公司重新评估其税务风险并调整、出售国富瑞数据系统有限公司19.99%股权、公司收到及从递延收益转入确认的政府补助。

  6月6日，长电科技发布公告称，公司全资子公司长电国际（香港）贸易投资有限公司（下称“长电国际”）拟出售其持有的参股公司SJ SEMICONDUCTOR CORPORATION（下称“目标公司”）4,900万股股份，占其已发行股份总额的8.617%，本次交易对价为6,125万美元。 长电科技于5 月 13 日召开的第七届董事会议，赞同公司向独立第三方Pluto Connection Limited及SCGC Capital Holding Company Limited转让全资子公司长电国际持有的目标公司 4,900万股股份（出资2,450万美元，占其已发行股份总额的8.617%）。 转让价格参考独立评估机构，目标公司截至202

  9月29日晚间，长电科技(17.300, 0.00, 0.00%)（600584）作为中国内地最大、全球第三大的集成电路委外封装测试（OSAT）企业，在停牌10日后，如期发布非公开发行股票的具体预案。   长电科技此次拟定增不超过2.72亿股，募集资金总额不超45.5亿元，其中，计划向年产20亿块通信用高密度集成电路及模块封装项目、通讯与物联网集成电路中道封装技术产业化项目分别投资16.2亿元、16亿元，此外的13.3亿元将用于偿还银行贷款。   长电科技此次非公开发行方案尚需股东大会审议通过以及获得证监会的核准。公司将于10月9日起复牌。   借定增扩大规模   提升盈利   “通过此次定增，长电科技将扩大主业规模，更好分享半导

  追溯芯片封装历史，将单个单元从整个晶圆中切割下来再进行后续封装测试的方式一直以来都是半导体芯片制造的“规定范式”。然而，随着芯片制造成本的飞速提升以及消费市场对芯片性能的不断追求，人们开始意识到革新先进封装技术的必要性。 对传统封装方式的改革创新，促成了晶圆级封装技术（ Wafer Level Package ， WLP ）的 “ 应运而生 ” 。 晶圆级封装技术可定义为：直接在晶圆上进行大部分或全部的封装、测试程序，然后再来安装焊球并切割，产出一颗颗的 IC 成品单元（如下图所示）。 ( 图片来自：长电科技 ) 晶圆级封装技术与打线型（ Wire-Bond

  技术的五大要素 /

  2021年12月17日，中国，上海---今日，全球领先的集成电路制造和技术服务提供商长电科技（600584.SH）宣布，在全世界正式启用全新标识。新视觉、新理念，此次品牌标识焕新标志着长电科技以全新的面貌把握新机遇，迎接新挑战，与全球客户、合作伙伴及全体员工共同迈向下一个“新跨越”。 连接、升级、发展，新标识诠释长电科技公司发展理念与承诺 长电科技新标识不仅在视觉上进行了与时俱进的升级，中英文新标识颜色、轮廓协调一致，高科技蓝的标识中加入灵动的芯片元素，同时，将长电科技对质量和服务的承诺，以及未来发展的价值和理念做了耀然呈现。 紧密互连 携手赢未来：新标识中的英文字母C/E/T分别代表连接（Connection）、发展（E

  启用全新标识，用新形象迈向新跨越 /

  长电科技近日宣布，面向更多客户提供4D 毫米波雷达 先进 封装 量产解决方案，满足汽车电子客户日益多元化的定制化开发与技术服务需求。 高精度车载毫米波雷达大范围的应用于自适应巡航控制、盲点检测、自动紧急制动系统等领域，是为汽车提供安全保障的感知层的重要组成部分。可靠的高精度毫米波雷达先进封装解决方案，在保证 芯片 微系统的功能性和可靠性方面不可或缺。据罗兰贝格（Roland Berger）公司的预测显示，至2025年全球46%的车辆将具备L2级或更高功能。在汽车智能化发展的趋势下，Yole市场研究预测车载毫米波雷达市场规模2025年将达到105亿美元，年复合增长率将达11%。 目前业界应用于毫米波雷达产品的先进封装方案有倒装型

  量产解决方案 /

  晶圆代工厂商台积电(TSMC)宣布，核准资本预算5,980万美元(约19.7亿新台币)，建立300mm厂晶圆级封装(Wafer Level Package)技术及产能。台积电指出，晶圆级封装技术可有效缩小终端产品尺寸，顺应了应未来市场需求，提高台积电及其客户的竞争力。 台积电表示，其它议案还包括核准资本预算2,280万美元，将原本每月可生产1.26万片8英寸0.18微米逻辑工艺产能，转换升级为1.11万片高压(High Voltage)、射频(RF)及双载子互补式金氧半导体(BiCMOS)工艺产能。

  技术与可靠性 (阿德比利)

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